簡(jiǎn)要描述:P+F電感式接近開關(guān)分類齊全NBB1.5-8GM50-E2其中K為霍爾系數(shù),I為薄片中通過的電流,B為外加磁場(chǎng)(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應(yīng)強(qiáng)度,d是薄片的厚度。
P+F電感式接近開關(guān)分類齊全NBB1.5-8GM50-E2
產(chǎn)品概述:
當(dāng)一塊通有電流的金屬或半導(dǎo)體薄片垂直地放在磁場(chǎng)中時(shí),
薄片的兩端就會(huì)產(chǎn)生電位差,這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應(yīng)。
兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢(shì)U,其表達(dá)式為
U=K·I·B/d
由此可見,霍爾效應(yīng)的靈敏度低與外加磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度成正比的關(guān)系。
霍爾開關(guān)就屬于這種有源磁電轉(zhuǎn)換器件,
它是在霍爾效應(yīng)原理的基礎(chǔ)上,
利用集成封裝和組裝工藝制作而成,
它可方便的把磁輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換成實(shí)際應(yīng)用中的電信號(hào),
同時(shí)又具備工業(yè)場(chǎng)合實(shí)際應(yīng)用易操作和可靠性的要求。
工作原理:
電感式接近開關(guān)由三大部分組成:
振蕩器、開關(guān)電路及放大輸出電路。
振蕩器產(chǎn)生一個(gè)交變磁場(chǎng)。
當(dāng)金屬目標(biāo)接近這一磁場(chǎng),
并達(dá)到感應(yīng)距離時(shí),
在金屬目標(biāo)內(nèi)產(chǎn)生渦流,
從而導(dǎo)致振蕩衰減,以至停振。
振蕩器振蕩及停振的變化被后級(jí)放大電路處理并轉(zhuǎn)換成開關(guān)信號(hào),
觸發(fā)驅(qū)動(dòng)控制器件,從而達(dá)到非接觸式之檢測(cè)目的
熱門型號(hào):
NBN4-12GM50-E2
NBN4-12GM50-E0
NBN4-12GM40-Z0
NJ4-12GM40-E2
NBB4-12GM50-E2
NBB4-12GM50-E0
NBB5-18GM50-E2
NBB5-18GM50-E0
NBB5-18GM60-A2
NBB5-18GM60-Z0
P+F電感式接近開關(guān)分類齊全NBB1.5-8GM50-E2